EV向けインバーター、次世代材料「窒化ガリウム」がSiCを置き換える

　高品質基板の作製が困難だったため、パワーデバイス材料としての高い適性を持ちながら、これまでその真価を発揮できなかった窒化ガリウム（GaN）。高品質・大口径GaN基板の開発に取り組む大阪大学教授の森 勇介氏は、ここまでの成果を踏まえて「GaNに秘められたパワーデバイス用材料としての高い潜在能力を解き放つための準備は、着実に進んでいる」と述べる。