Siパワー半導体はRC-IGBTに脚光、自動車や家電の小型化需要で

　次世代パワー半導体と目されるシリコンカーバイド（SiC）は電気自動車（EV）向けに今後普及していくものの、当面はシリコン（Si）パワー半導体が市場の大半を占める。そのSiパワー半導体で脚光を浴びているのが「RC-IGBT」だ。自動車や民生機器での採用が進んでいる。今後は口径300mmと大きいSiウエハーによる量産が本格化し、RC-IGBTを安価で入手しやすくなる。