SiCの置き換え狙う縦型GaNデバイス、実用化に向けていよいよ動き出す

　窒化ガリウム（GaN）ベースの縦型パワーデバイスの開発が、社会実装に向けて着実に前進している。現時点ではシリコンカーバイド（SiC）ベースのパワーデバイスの応用が想定されている、電気自動車（EV）のトラクションインバーター（主モーターの駆動回路）などの高耐圧・大電流の応用に適用可能なデバイスである。