TIがSiC MOSFET向けゲートドライバー、EV満充電時の航続距離が7マイル延伸

　米Texas Instruments（テキサス・インスツルメンツ、TI）は、SiC MOSFETに向けた絶縁型ゲートドライバーIC「UCC5880-Q1」を2023年5月9日（現地時間）に発表した。電気自動車（EV）のトラクションインバーターをSiC MOSFETと新製品などで構成することで、満充電からの航続距離を最大7マイル（約11.2km）伸ばすことができるという。